打破供电限制，英特尔代工达成功率传输的跨代际突破

在2025年IEEE国际电子器件大会（IEDM 2025）的舞台上，英特尔代工对外呈现了面向AI时代系统级芯片设计的重要技术进展——新一代嵌入式去耦电容器。这项革新性成果或将晶体管不断微缩进程中遭遇的供电难题，为AI及高性能芯片打造出更稳固、更具能效的电源支持方案。

电容材料创新

英特尔代工的研究人员展示了三种适用于深沟槽结构的新型金属-绝缘体-金属（MIM）电容器材料。

（1）铁电铪锆氧化物（HfZrO）：借助铁电材料所具备的自发极化特性，在纳米尺度范围内达成高介电常数的目标。

（2）二氧化钛（TiO₂）：具有优异的介电性能和热稳定性；

（3）钛酸锶（SrTiO₃）属于钙钛矿结构材料，其在深沟槽环境下具备优异的电容密度表现。

这些材料能够借助原子层沉积（ALD）技术，在深沟槽结构里达成均匀且可调控的薄膜生长，进而有效优化界面品质，增强器件的可靠性。

突破性性能指标

该技术实现了跨代际的飞跃，具体表现在：

（2）电容密度：达到60-98 fF/μm²，与当前先进技术相比实现了显著提升；

（2）漏电性能：漏电水平较行业目标低1000倍，可显著减少静态功耗。

（3）可靠性：不影响电容漂移和击穿电压等指标。

系统级优势

这一技术突破能为AI芯片设计带来多方面益处：一是可增强电源完整性，对电源噪声与电压波动起到有效抑制作用；二是在热管理协同优化层面，能够达成电热协同优化，从而为高功率AI芯片营造更稳定的运行环境；三是有利于在有限的芯片面积里实现更高的电容密度，进而为功能模块的集成腾出更多空间，实现芯片面积的优化。

在下一代先进CMOS工艺里，一系列具备稳定性、低漏电特性的MIM电容密度增强技术拥有颇为可观的应用潜力。英特尔代工将会专注于不断创新，为AI时代的高性能计算芯片供给关键的电源管理解决方案。